Выбор MOSFET для использования DC

У меня есть общий вопрос относительно выбора MOSFET. Я пытаюсь выбрать MOSFET для использования DC. Я рассчитываю заменить 5А 24В реле на полевой МОП-транзистор.

MOSFET будет управляться с микро, поэтому мне понадобятся логические ворота уровня. Микро 5v логика.

Я собираюсь начать их массовое производство, поэтому стоимость - мой главный драйвер.

У большинства МОП-транзисторов, с которыми я сталкивался, нет области DC, вызванной на кривых SOA. Например, я потенциально смотрел на IRLR3105PBF.

Лист данных здесь

Вот параметры, которые я посмотрел:

VDSS Макс = 55 В, что >> чем моя шина 24 В постоянного тока, так что все в порядке.

Расчет мощности - 5A * 5A * 0,37 мОм = 0,925 Вт (высокий, но я думаю, что DPAK справится с этим)

РИСУНОК 1 и 2 - VGS @ 5V -> VDS = 0.3V @ 25C (но график 20uS Pulse Я хочу, чтобы это было DC?) VGS @ 5V -> VDS = 0.5V @ 175C (опять же, я хочу, чтобы это было DC? )

РИСУНОК 8 - Глядя на VDS - 0,5 В (в худшем случае), он показывает только 1 В. 1 В может подняться на 20 А больше, чем мне нужно для импульса 10 мсек. (Я действительно запутался в этом, должен ли я просто предположить, что у меня будет VDS 1V, смотрящий на это?)

Но тогда возникает мой главный вопрос, я хочу DC, где мне искать это?

Это просто плохой выбор? (У меня такое ощущение, что это не потому, что в техническом описании нигде не говорится о DC) Что мне нужно искать при поиске в Digikey?

TLDR Как выбрать FET для использования на постоянном токе?

Если вам нужна работа с постоянным током, вы действительно должны использовать полевой МОП-транзистор с номинальным значением постоянного тока в своей безопасной рабочей зоне.

МОП-транзисторы, не имеющие кривой постоянного тока, могут пострадать от теплового разгона при использовании в приложениях постоянного тока и предназначены или предназначены только для коммутационных приложений. Могут возникнуть внутренние, локальные точки доступа, а МОП-транзисторы могут выйти из строя («Спиритический эффект»).

Причиной является падение порогового напряжения затвора к источнику для повышения температуры, обычно при низких напряжениях затвора к источнику. Подробности этой проблемы обычно не указываются в таблицах данных, поэтому единственным индикатором часто является диаграмма SOA, которая имеет или не имеет кривую постоянного тока. Рис. 3 в паспорте вашего MOSFET выглядит так, как будто точка теплового кроссовера V _GS немного ниже 4 В. На мой взгляд, вы рискуете, когда используете этот конкретный MOSFET с драйвером, который может подавать только 5 В. В худшем случае, если ваш источник питания находится на низком уровне (4,5 В), допускайте некоторое падение напряжения на этапе вождения. Раньше, чем вы хотели бы, вы в конечном итоге где-то около 3,5 В.

Обратите внимание, что абсолютные максимальные значения (25 или 18 A при 25 или 100 ° C соответственно) указываются при напряжении затвора к источнику 10 В , когда ваш MOSFET полностью включен . Они не применяются при более низких напряжениях затвора к источнику.

Подробнее об истории здесь: https://electronics.stackexchange.com/a/36625/930

Ознакомьтесь с продукцией Solid State Optronics. http://www.ssousa.com/home.asp Те, которые мы используем (SDM4101, SDM4102), имеют встроенный оптоизолятор, но они только 3,4А. Я собираюсь начать тестирование конфигурации с двумя параллельно для большей пропускной способности. Тепловые характеристики Mosfets означают, что сопротивление увеличивается со временем, поэтому, если человек начинает потреблять больше тока, он нагревается, увеличивает сопротивление и через его двойник протекает больше тока. Или так теория идет!

Они упоминают, что максимальный ток утечки составляет 18А при 100 градусах С. Если ваше оригинальное реле никогда не показывало более 5А, вы будете в порядке.

Чтобы ответить на ваш вопрос: посмотрите на непрерывный рейтинг. Он находится вверху первой страницы и также указан как одна из первых электрических характеристик в качестве абсолютного максимума. Позже, это будет в таблице характеристик истока-истощения в конце страницы 2.

Важно сделать то, что вы сделали, и оценить рассеиваемую мощность (RDSon * I ^ 2). Это похоже на разумный FET. Я полагаю, что в DPAK вы будете паять его на печатную плату для радиатора.

Цифры в разделе «Абсолютный максимум» относятся к непрерывной работе постоянного тока Кривые SOA показывают, что вы можете превышать эти значения в течение коротких промежутков времени, но вы можете иметь длительность 18 ампер при условии, что корпус ниже 100C.

Просто оцените мощность от I ^ 2 Rds_on. Но помните, что Rds_on увеличивается с ростом температуры, я обычно допускаю увеличение Rds_on на 50%.

Для надежности понизьте свои Rds в худшем случае, например, до 4,5, и есть много схожих по стоимости полевых транзисторов с возможностью 16А или меньших устройств, которые дешевле.

http://www.diodes.com/datasheets/DMN6040SK3.pdf . 50 мОм, затвор 4,5 В 16A. $ 0,20 при 1 барабане