Кто-нибудь производит дискретные мемристоры?

Кто-нибудь продюсирует, что я, как любитель, могу играть в своих кругах? Если нет, то где я могу узнать, как сделать и измерить производительность одного?

Редактировать:

Я натолкнулся на эту ссылку, показанную в журнале Make, о создании собственных мемристоров, но я не знаю, как вы сможете их измерить.

Чтобы прямо ответить на ваш вопрос: «Кто-нибудь производит дискретные мемристоры?» ответ - нет. Но, как вы обнаружили в связанной статье, есть способы сделать свои собственные мемристоры из почти мусорных объектов, поэтому давайте обсудим, как человек наблюдает за тем, что он делает, и что именно определяет мемристор.

Я думаю, что наиболее показательное изображение из связанной статьи - это то, что я обозначил цифрами для обсуждения:

В статье говорится:

Модифицированная кривая трассировки подает переменное напряжение. Горизонтальная ось представляет напряжение, а вертикальная ось представляет ток. В обоих случаях кривая всегда проходит через нулевое напряжение и ток. Это требование должно быть выполнено для того, чтобы классифицировать его как мемристор.

Кривая трассировки - это просто устройство, которое подает переменное напряжение на тестируемое устройство и измеряет ток, или подает переменный ток и измеряет напряжение, а затем отображает ток на одной оси и напряжение на другой. Можно сделать с областью действия XY и генератором функций:

^{смоделировать эту схему - схема, созданная с использованием CircuitLab}

V1 - выход генератора функций. Канал A на прицеле отображается на горизонтальную ось и измеряет напряжение. Канал B отображается на вертикальную ось и косвенно измеряет ток как перепад R1, который выбран достаточно малым, чтобы оказывать незначительное влияние на тестируемое устройство (DUT).

$0V$$0A$

В какой-то момент достаточно напряжения было подано достаточно долго. Интеграл времени по напряжению - это поток , даже если в компоненте не может быть магнитного потока, как в случае с индуктором. Я инженер, а не физик, но я предполагаю, что приложенное напряжение уменьшает коррозию латуни, что приводит к лучшему и менее резистивному контакту с алюминием. Теперь, когда сопротивление меньше, может развиться некоторый ток (3).

$0V$$0A$

Кривая трассировки продолжает снижать напряжение до отрицательного. Мы видим, как развивается отрицательный ток, а также шум (4). Уменьшение наклона линии от (1) до (4) предполагает, что сопротивление здесь было выше, чем от (3) до (1). Я подозреваю, что это потому, что отрицательное напряжение окисляет коррозию между латунью и алюминием, увеличивая его сопротивление. Или, может быть, здесь есть какое-то выпрямляющее свойство, похожее на диод с точечным контактом .

В какой-то момент мы подали достаточно отрицательного напряжения достаточно долго, чтобы интеграл по времени от напряжения (потока) стал достаточно отрицательным, чтобы вернуть мемристор в состояние высокого сопротивления, и ток уменьшится почти до нуля (5).

$0V$

С этой точки зрения можно сказать, что важными свойствами мемристора являются:

1. Это соотношение тока и напряжения показывает петлю. То есть, это не то же самое, что подниматься и опускаться. Если бы это было так, то это была бы просто прямая линия, а это обычный резистор.
2. $0V, 0A$$0V, 0A$

Приведенная выше примерная кривая показывает много шума и нелинейного поведения, вероятно, из-за менее тщательно спроектированной природы установки. Вот более идеализированная версия того же самого:

^{(из электрической зарядки мемристоров )}

$0V, 0A$

Вот статьи, опубликованные журналом IEEE Spectrum на тему мемристора.

http://spectrum.ieee.org/searchContent?q=memristor&media=&max=10&offset=0&sortby=relevance

Как вы увидите, HP проводит некоторые исследования по этому вопросу, но, кажется, ничего еще не готово даже для использования профессиональными инженерами.

Эта статья о некоторых других исследованиях по теме, со ссылкой на статьи по arXiv.

http://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/nanotechnology/the-memristors-fundamental-secrets-revealed

Надеюсь, что это поможет вам определиться с состоянием использования мемристора в 2013 году.

В настоящее время Bio Inspired Technologies предлагает исследовательскому сообществу дискретные ионопроводящие мемристоры в виде сырых испытательных матриц (96 дискретных устройств) или упакованных компонентов (20 устройств в керамическом корпусе с 44 выводами). Прототипирование мемристорной платы «Дискавери» близится к завершению. (Www.bioinspired.net)

Knowm Inc. предлагает 3 варианта Ag-халькогенидов в DIP-упаковках с необработанной матрицей и 16-контактным разъемом.

Как упомянул @tjafron, Bio Inspired Technologies работает над дискретными мемристорами. Теперь они продают по 240 долларов за 16-контактный DIP-пакет, что составляет 30 долларов за мемристор. Это много, но его можно использовать более 2000 раз, что, безусловно, больше, чем домашние. Для получения дополнительной информации, вы можете посетить это и ссылки внутри.