Поскольку на напряжение базового эмиттера BJT в его рабочей области будет влиять ток базового эмиттера, и наоборот, изменения напряжения базового эмиттера данного транзистора будут влиять на ток коллектор-эмиттер. С другой стороны, величина изменения напряжения базы-эмиттера, необходимая для воздействия на данное изменение тока коллектора-эмиттера, часто огромна и непредсказуема; он сильно зависит от температуры, старения, фазы луны и т. д. Напротив, в «линейной» рабочей области транзистора удвоение тока базы-эмиттера примерно удвоит ток коллектора-эмиттера. Не совсем-точно удвоить, но довольно близко. Такое поведение гораздо более предсказуемо, чем соотношение между напряжением базы-эмиттера и током базы-коллектора.
Напротив, полевой или полевой транзистор не имеет тока затвора, кроме токов, возникающих в результате утечки или паразитной емкости. Эти токи не совсем равны нулю, но производители обычно стараются минимизировать их. Таким образом, на самом деле невозможно охарактеризовать реакцию транзистора на разные уровни тока затвора. Соотношение между напряжением затвор-исток и током исток-исток не так предсказуемо, как соотношение между током базы-эмиттера и током коллектора-эмиттера в BJT, но все еще остается наиболее предсказуемым способом характеризации работа устройства (это намного более предсказуемо и непротиворечиво, чем сопоставимые отношения на BJT).