Почему смещение обратной связи коллектора популярно в цепях предусилителя с электретным микрофоном?

У меня есть несколько простых модулей для электретного микрофона, и я экспериментировал с усилителями звука. Я гуглил, чтобы найти некоторые примеры схем, и я обнаружил, что большинство из них напоминают схемы выше. Я построил этот, и он отлично работает. Если я не ошибаюсь, эта схема смещена с помощью смещения обратной связи коллектора.

В поисках схемы я заметил, что большинство схем усилителей электретного микрофона используют конфигурацию обратной связи коллектора. Интересно, почему он так популярен среди других обычно более распространенных конфигураций, таких как смещение делителя напряжения? Я понимаю, что использование обратной связи в этой конфигурации делает усилитель более стабильным, но разве смещение делителя напряжения не имеет такого же преимущества?

Большинство хобби-увлечений, которые вы обнаруживаете, прибегая к помощи дерьма, происходят из-за сомнительных кований и затем копируются друг в друга. Уровень смещения этой схемы не очень предсказуем для BJT и BJT (то есть он может обрезаться на высоком уровне в одну или другую сторону в зависимости от чувствительности капсулы и фактического уровня звукового давления), а искажение относительно плохое (из-за отсутствия отрицательная обратная связь или вырождение излучателя).

JFET (внутренний по отношению к капсуле) представляет собой гораздо меньшую проблему, поскольку уровни сигнала находятся в мВ на стоке, поэтому ток сигнала составляет очень небольшой процент от смещения.

Попробуйте поискать коммерческие схемы предварительного усилителя или (как правило, намного дороже, но также и с хорошей производительностью) замечания по применению от компаний, пытающихся продавать микросхемы. Например это схема от Максима. У TI также есть несколько дизайнов.

Эта схема гарантирует, что Vce будет больше, чем Vbe.

В диапазоне VDD от 3 до 9 В.

Неважно, что за транзистор бета.

Неважно, какая температура.

Только сломанный транзистор или очень негерметичный транзистор может сбить с толку это поведение отрицательной обратной связи по постоянному току.

Обратите внимание, что усиление фактически является источником Rfb / Rsource, если только Rfb не имеет центральное отвод и большой конденсатор не используется для AC_bypass центральной крышки.

Электреты объединяют общий источник усилителя с уставкой усиления R как 10k, используемой здесь для V +. Это дает от 1 мВ до 10 мВ при номинальном использовании.

Ваш обычный эмиттер cct использует небольшой входной сигнал, чтобы получить усиление почти на 20 дБ.

Коэффициент усиления в разомкнутом контуре, Aol, равен Rc / Rbe и зависит от Rf (= R2) для базового тока. **

Коэффициент усиления замкнутого контура составляет почти = -Rf (100k) / Rin (10k) = - 10.

Отрицательная обратная связь требует много Aol, чтобы уменьшить оценки погрешности коэффициента усиления R. Операционные усилители имеют 10e6, и это больше похоже на 10e2. Таким образом, я могу сказать, что выигрыш почти равен 10. Или достаточно близко для работы правительства.

Добавление Re здесь не является преимуществом.

Добавление подтягивающий Rb ** к Vcc является улучшение на Ib таким образом Aol и , следовательно , выше Acl от 30 , 50 или даже 100 будут возможны , по конструкции с соответствующими коэффициентами импеданса, и супер-бета - транзисторов , как старый 2N5088, с золотым легированной электроды, но, возможно, не обязательно.

Конфигурация с отрицательной обратной связью дает <0,1–1% THD по сравнению с «H смещением», которое составляет ~ 10% THD, которое можно легко наблюдать по асимметрии выходов пикового напряжения пар переменного тока ».! (Синусоидального входа)