Можно ли построить тиристор из двух транзисторов?

Предположительно, SCR / тиристор представляет собой простой четырехслойный полупроводник PNPN.

Если это так ..

Когда в схеме требуется SCR / тиристор, а его нет в наличии, можно ли заменить (т.е. создать из) два BJT (или, в этом отношении, другие дискретные компоненты)?

Вот несколько примеров, которые я имел в виду; анод = синий, затвор = зеленый, катод = оранжевый:

Существует два простых типа тиристоров, изготовленных из двух БДП. Один - это SCR, а другой - PUJT. (PUJT будет использовать базу вместо базы Q 1 в качестве ворот - см. Схемы ниже.) Но основные проблемы, с которыми я столкнулся при создании одной из этих работ из дискретных частей, заключаются в том, что вам нужно вручную выберите BJT, чтобы сделать эту работу. В противном случае ничего хорошего из этого не выйдет, и это очень, очень расстраивает. Так что схема слева, показанная ниже, в основном нецелесообразна . Так что даже не беспокойтесь.$Q_2$$Q_1$

^{смоделировать эту схему - схема, созданная с использованием CircuitLab}

$R_1$$Q_1$ $R_2$$Q_2$ $R_1$$R_1$$Q_1$$Q_2$$R_2$$Q_2$ $Q_2$$Q_1$

$Q_2$$\beta=1$$Q_2$$Q_1$$V_{CE}$плюс сверхнизкий ток, управляемый диодным переходом, чье падение напряжения почти полностью зависит от величины тока, который вы хотите провести через устройство. А так как это может быть довольно высоким, вы можете легко получить падение напряжения, превышающее вольт и, возможно, даже 1,5 вольт.

Реакция на это заключается в том, чтобы найти способ уменьшить необходимые базовые токи, чтобы падение напряжения на переходах BE можно было аналогичным образом уменьшить.

$Q_1$

Этот диод по сути является просто диодно-подключенным BJT - с важным отличием. Ток насыщения для типичных диодов намного выше, чем для BJT с малым сигналом. (И они также могут нести постоянный ток.) ​​Это означает, что они пропускают через них чуть больше тока при одинаковом напряжении на них. По сути, это делает текущее зеркало с текущим усилением, которое намного меньшечем 1. Насколько меньше, точно, на самом деле не имеет значения, потому что ЛЮБОЕ улучшение здесь помогает уменьшить падение напряжения на всей цепи. Так что все хорошо. Различные диоды с разными токами насыщения дают разные результаты. Но почти любой диод, который вы можете надеть, будет иметь более высокие токи насыщения, чем большинство BJT, которые вы можете использовать. Так что это "просто работает", как правило.

$Q_1$$Q_2$$Q_2$$Q_1$$Q_2$

$Q_2$$Q_1$$Q_1$$V_{BE}$$R_1$

$\beta$

$\beta$$Q_1$$\beta$$Q_1$

$50\:\textrm{mA}$

Красная линия показывает рассеиваемую мощность цепи, аналогичной версии только для резисторов (средняя цепь сверху), а зеленая линия показывает рассеиваемую мощность версии диода (справа вверху). (В остальном они почти идентичны.) Сохранить в имейте в виду, что это моделируемые части схемы. Таким образом, фактические результаты будут другими. Но основная идея остается. Вы можете видеть, что зеленая линия ниже (меньше мощности), чем красная линия, и в этом случае примерно на 1/3 ниже рассеиваемая мощность.

$200\:\Omega$$10\:\textrm{V}$

Таким образом, в цепи на основе диодов имеется меньшее падение напряжения (что лучше), а также более низкое рассеивание мощности (что также лучше).

Да, это легко. Как правило, вы хотите добавить резисторы базового эмиттера к одному или обоим транзисторам для управления током запуска и удержания.

Вот симулированный SCR, который срабатывает при токе затвора около 400 мкА.

^{смоделировать эту схему - схема, созданная с использованием CircuitLab}

Эта конструкция дает вам два «шлюза» - верхний может использоваться для дополнения обычного SCR, такого как 2N506x, которые, если они вообще существуют, не являются общими.

Заметьте, однако, что вы не можете сделать триак (также тиристорный) таким образом.

Также обратите внимание, что весь ток протекает через переходы BE, поэтому соблюдайте номиналы, и оба транзистора должны быть рассчитаны на требуемое напряжение блокировки.