Книга Предложение - Как рассчитать рассеиваемую мощность BJT

Я сделал экзамен, который попросил "рассеивание мощности" данной цепи BJT. Вопрос был простым , но мой профессор рассмотрел мой расчет рассеиваемой мощности неправильно, потому что мой ответ был $P = V_{CE} \cdot I_C + V_{BE} \cdot I_B$ .

Но он сказал мне , что правильный ответ $P = V_{CE} \cdot I_C$ .

Может ли кто-нибудь указать учебник или научную статью, подтверждающую мой ответ, чтобы я мог поговорить с ним снова?

Я нашел некоторые ссылки в Интернете, подтверждающие мой ответ, но он не будет рассматривать веб-сайт ...

От теоретического POV твой проф ошибался. Вы правильно рассчитали общую мощность рассеяния вашего BJT.

Ваш профессор может быть прав только приблизительным образом: если и точка покоя BJT находится в активной области, и ее составляет не менее 10-20, то он (приблизительно) прав, потому что тогда I B будет намного меньше чем I C и V B E будет около 0,6 В, так что вклад V B E ⋅ I B будет незначительным. В этом случае вы не можете считаться неправым, но только чрезмерно усердным.$h_{FE}$$I_B$$I_C$$V_{BE}$$V_{BE} \cdot I_B$

Обратите внимание, однако, что если BJT является насыщенным, то есть и его переходы смещены вперед, больше не относится I B к I C , т.е. я Б не может быть предполагается, что значительно ниже , чем I C . В этом случае диссипация соединения база-эмиттер может быть такой же релевантной, как и диссипация соединения коллектор-эмиттер, и ваш профессор будет совершенно неправ.$h_{FE}$$I_B$$I_C$$I_B$$I_C$

$h_{FE}$$I_B$$I_C$$I_B$$I_C$$V_{CE(sat)}$$V_{BE(sat)}$это означает, что в некотором конкретном (но не теоретическом) случае диссипация основания может быть несколько выше, чем диссипация коллектора. Пренебрежение этим было бы пагубным (особенно при выборе правильного размера радиатора!).

$I_B$

Сохранение энергии - основной закон природы. Я надеюсь, что вашему профессору не нужна книга, чтобы поверить в это!

Короче говоря: вы правильно поняли, он не прав.

Я бы бросил ему вызов (предостережение: это может дать ответный удар):

Получите немного NPN силовой транзистор, как 2N3055. Они могут потреблять до 7А базового тока. Короткие C и E, так что Vce равен нулю. Затем подайте 6А тока между базой и эмиттером.

Попросите его положить палец на это. Если он прав, рассеиваемая мощность должна быть равна нулю, чтобы транзистор вообще не нагревался. Если вы правы Ib * Vbe делает рассеивать энергию и преобразует в тепло.

Я почти уверен, что он передумает о рассеянии мощности BJT через полминуты или около того.

К сожалению, вы можете оказаться в положении, когда ваш профессор не собирается признавать, что он был неправ (или, по крайней мере, менее прав, чем вы), чтобы сохранить лицо для себя.

У меня нет предложений по книге, но вы можете скачать бесплатную программу SPICE, такую ​​как LTSpice, встроить в нее схему и измерить различные напряжения, ток и рассеиваемую мощность.

http://www.linear.com/designtools/software/#LTspice

Это может быть полезно для вас, чтобы узнать, как использовать такой инструмент SPICE (это не слишком сложно), и вы могли бы послушать, как ваш профессор объясняет вам, почему SPICE должен быть не прав.

Ваш профессор, к сожалению, не прав. Рассмотрим следующую схему:

^{смоделировать эту схему - схема, созданная с использованием CircuitLab}

Общая мощность (Vi x Ib) + (VCE x Ic). Если ваш профессор прав, тогда мощность, рассеиваемая в резисторе, равна Vi x Ib, но это означает, что Ib = Vi / R1, и это верно только в том случае, если Vbe равно нулю, что не соответствует действительности. Вместо этого VR = Vi - Vbe. Это оставляет полную мощность Vbe x Ib неучтенной.

Удачи в том, чтобы ваш профессор признал свою ошибку. Он настолько явно неправильно справился с проблемой, что признать свою ошибку ему будет крайне сложно, и он может наброситься на вас. По крайней мере, убедитесь, что вы подходите к нему наедине, так как публичное обсуждение вряд ли пройдет хорошо.

Даже в частном порядке существует определенная вероятность того, что он отреагирует враждебно, так что будьте готовы.