Если вы подключаете пару дискретных полевых МОП-транзисторов вплотную друг к другу для создания двунаправленного переключателя нагрузки, то в чем практическая разница между их общим источником и общим стоком?
В этом конкретном случае я использую пару полевых транзисторов p-ch, чтобы изолировать аккумулятор от нагрузки, а также обеспечить, чтобы накопленный заряд в нагрузке не мог вернуться к батарее при выключении. У меня батарея 3V6, поэтому логический уровень FET работает нормально. Маршрутизация PCB работает лучше всего, если у меня общий источник, но я видел обе конфигурации, используемые в литературе.
В интегрированном устройстве я мог бы предположить, что есть веская причина выбирать одно из другого, так как общий объемный кремний, скорее всего, повлияет на выбор. Но с дискретными частями, кажется, нет четкой причины для выбора одной из других, при условии, что привод затвора превышает падение напряжения на диоде корпуса, а также Vgth.
Так есть ли причины специально выбирать одну из этих конфигураций?
РЕДАКТИРОВАТЬ:
Учитывая базовые условия: что напряжение больше, чем у FET Vgth плюс прямое падение диода корпуса; тогда любая схема работает функционально. Тем не менее, моделирование показывает, что есть некоторая выгода для схемы с общим источником в том, что переключающие переходы происходят быстрее, поэтому в полевых транзисторах меньше потерь энергии.